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14일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 올 상반기 삼성전자 R&D 비용은 18조641억원으로 1년 만에 13.8% 늘었다. 상반기 기준 역대 최대 수준이자, 2년 전과 비교하면 5조원 가까이 급증했다. 전체 매출액에서 차지하는 비중도 11.8%로 2년 만에 다시 11%를 넘어섰다. 지난해 삼성전자의 R&D 비중은 10.9%였다.
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상반기 R&D 실적도 상당하다. 삼성전자는 디바이스경험부문(DX)에서 △갤럭시 S25·S25+·S25 울트라·S25 엣지 출시 △네오 퀀텀닷 발광 다이오드(QLED) 8K 와이어리스 원 커넥트 박스 등을, 반도체부문(DS)에서는 업계 최초 △24Gb GDDR7 D램 양산 △업계 최선단 10나노급 6세대 D램 양산 △고성능 소비자용 솔리드스테이전함야마토
트드라이브(SSD) '9100 프로' 등을 출시했다. 이 기간 시설투자는 20조7261억원으로 1년 전 19조5706억원보다 5.9% 증가했다. 역대 최대는 아니지만 2년 만에 20조원대에 복귀한 모습이 눈에 띈다.
SK하이닉스도 올해 상반기에만 3조원이 넘는 R&D 비용을 투입했다. 올해 상반기 연구개발비는 3조456억원으로 지난해 같증권투자초보
은 기간 대비 7381억원 증가했다. 해당 기간 모바일용 낸드플래시, 오토모티브용 SSD, 서버용 CMM(CMM-DDR5), 모바일용 D램(1cnm LPDDR5X) 등 차세대 제품 연구개발에 재원이 투입된 것으로 풀이된다.
설비투자액 또한 큰 폭으로 증가했다. 올해 상반기 설비투자액은 11조2490억원을 기록, 지난해 상반기(5조9670대시세
억원) 대비 2배 가까이 급증했다. HBM 등 인공지능(AI) 반도체 수요 증가에 대비해 생산능력을 증가하고, 고부가가치 제품 중심의 포트폴리오 전환을 가속화하면서 투자액이 증가한 것으로 풀이된다. 특히 내년 생산이 본격화하는 6세대 HBM(HBM4)과 관련한 시설투자가 확대됐을 것이란 전망이다. SK하이닉스가 충북 청주에 짓고 있는 M15X 신규 팹(공장장기추천
)은 계획대로 4·4분기 준공하고, HBM4를 포함한 최선단 D램 생산에 활용할 것으로 예상된다.
삼성전자와 SK하이닉스가 R&D·시설투자 비용을 꾸준히 늘리는 것은 그만큼 차세대 기술 리더십이 중요하기 때문이다. SK하이닉스는 지난달 24일 올해 2·4분기 실적 설명회에서 "올해 (시설)투자 규모는 기존 계획 대비 증가할 예정"이라며 "대부분 HBM 생산을 위한 장비투자분이 늘어날 것"이라고 전했다.
kjh0109@fnnews.com 권준호 임수빈 기자